Aufbau und Eigenschaften der Spitzentransistoren

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Aufbau und Ausführungsformen der Spitzentransistoren


Der erste Grundaufbau.
So gewaltig er auch aussieht- dieser Transistor funktionierte !
(Quelle: http://it-spots.de/category/geschichte/2-computergeneration/)


Nachbau des ersten Transistors.
(Bildquelle: Public Domain, aus http://www.bayern-online.com/v2261/artikel.cfm/203/1947-Kurznachrichten.html)


So sollte der Aufbau des Spitzentransistors aussehen.

Durch die Verschweißung der Kollektor- Spitze ensteht eine mehrfache n-p-Zonenfolge an diesem Punkt- das Bauelement ist eigentlch eine Vierschicht- Diode mit Steueranschluß, die einen Kippzustand als Eigenschaft hat-  ein Thyristor.


So sieht die reale Zonenfolge aus- am Kollektor sind 3 Zonen vorhanden.




Schnittmodell, von Bardeen und Brattain im "Bell SystemTech Journal" 1949/04 veröffentlicht.


Einer der ersten in Serie gefertigten Spitzentransistoren "A- Type" von Bell/ Western Electric.
Vorn ein Fenster, welches für die
Positionierung bei der Montage der Drahtspitzen, sowie zur Kontrolle nötig war.
(Quelle: http://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/PhotoGallery_TypeA_Page2.htm)


Andere Ausführungen nahezu gleicher Bauform, Transistor 2A von Western Electric
(Quelle: http://www.chipsetc.com/att--bell-labs--western-electric.html)


Skizze zum Aufbau
(Quelle: http://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/PhotoGallery_TypeA_Page2.htm)


Ein Typ A- Transistor aufgeschnitten.
(Quelle: http://www.rfcafe.com/references/popular-electronics/meet-the-transistor-jan-1955-popular-electronics.htm)


Edi-Bestand: Spitzentransistor 3NC-010 vom Hersteller WBN Teltow, DDR, 1959


Spitzentransistor 1NC-010 von WBN (DDR), 1954, und sein Innenleben

Andere Spitzentransistoren

Einige der ersten Transistoren sind sehr schöne Bauelemente- sie sind durchsichtig, und man kann den inneren Aufbau betrachten.


Erster Spitzentransistor in Europa, Frankreich 1948


Versuchsexemplar eines Spitzentransistors von Telefunken, 1952


Spitzentransistor VS200 von S.A.F, 1952
 




Ein sehr ähnliches Innenleben, nur in einem flachen Gehäuse, weist der  2N110 von
Western Electric auf.


Edi-Bestand: "moderner" Spitzentransistor 2N110, ursprünglich von Western Electric, NY, USA, dieser stammt aus
Militär- Lagerbeständen.
Verpackt in
einer hermetisch dichten Verpackung des Halbleiter- Herstellers STC (Silicon Transistor Corp.), Chelmsford, MA (Massachusetts), USA, auf einer ist auch Columbus, GA (Georgia), angegeben.
Was der Buchstabe K" bedeutet, weiß ich nicht. Die Verpackungen haben Datumsangaben aus der Mitte der 70er Jahre
.

Vor einigen Tagen, Februar 2018, erworben (!!!).

Hergestellt wurde der Transistor schon seit etwa 1955 (laut Western Electric Datenblatt)
Bekanntermaßen wurden einst die ersten USA- Spitzentransis komplett vom Militär abgegriffen, und für deren Equipment verwendet, und natürlich sicherte sich das Militär auch immer ausreichende Reserven, wahrscheinlich wurden diese Transistoren noch lange für militärische Geräte als Ersatz gefertigt oder gelagert, und mit einem Datum der 70er Jahre versehen.

Nettes Teilchen- vergoldet macht der Transi ja richtig was her, da bewegen sich die Elektronen doch gleich viel fluffiger durch die Germaniumkristall- Gitter !
:-)

Bei der Herstellung werden dünne Drähte mit den Kollektor- und Emitter- Spitzen manuell mit Hilfe eines Mikroskopes in den Germanium- Kristall eingedrückt, die Emitter- Spitze bleibt so, die Kollektor- Spitze wird mit dem Germaniumkristall mittels eines Stromstoßes verschweißt.
Der Abstand der Spitzen beträgt etwa 20- 30 µm.

.

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