Auflöten des Germanium- Kristalls auf die Basiselektrode
Herstellung der Spitzentransistoren
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Auflöten des Germanium- Kristalls auf die Basiselektrode
Manuelles Aufsetzen der Spitzen am Mikroskop.
Der Abstand der Spitzen beträgt nur 20 µm !
Bedruckung des Gehäuses mit Typbezeichnung und Seriennummer
Endprüfung. Jeder Transistor bekommt sein eigenes Meßprotokoll/ Datenblatt.
Jeder Transistor ist ein Unikat.
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