Spitzentransistoren international

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So fing es an..

1947 wurde in den USA der erste Transistor, ein Spitzentransistor, im Labor durch  Physiker Shockley, Bardeen und Brattain hergestellt.

 
Nachbau des 1. Transistors

Die Bezeichnung "Spitzentransistor" bezieht sich auf 2 Metallspitzen (im Mikrometerbereich) eines sehr dünnen Drahtes, die auf eine Scheibe Halbleitermaterial aufgesetzt waren. Der Abstand betrug ebenfalls nur wenige Mikrometer. Die Montage wurde am Mikroskop von Hand vorgenommen.

Jedoch wurde zur Anfangszeit die gesamte Produktion vom Militär aufgekauft.
Nachdem schon kurze Zeit später das Militär erkannte, daß das Halbleiterwissen nicht geheim gehalten werden konnte, wurden die Patente freigegeben, und dann in den USA, 1951 in der Niederlande (Philips), 1952 in Westdeutschland (SAF, Telefunken) und 1955 in Frankreich (R.P.C., ab 1985 Thomson) und 1960 bei Siemens die ersten Transistoren
, hergestellt.

In dieser Zeit begann auch die Entwicklung des Flächentransistors, der sich maßhaltig und in hohen Stückzahlen produzieren ließ, und weitaus bessere und stabile Kennwerte aufwies.

Die Spitzentransistoren konnten bis etwa 1960 ihre Position aufgrund noch besserer HF- Tauglichkeit verteidigen, aber wurden dann überall schnell von den besseren Flächentransistoren abgelöst, und nicht mehr weiterentwickelt.

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